[16p-S2_203-1~15] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

6:15 PM - 6:30 PM JST(9:15 AM - 9:30 AM UTC)

[16p-S2_203-14] Optical control of carrier polarity in MOSFET fabricated with undoped Si substrate (Ⅱ)

〇(B)Jiei Mukoyama¹, Jin Miura¹, Tetsuhiro Owa¹, Kenji Ikushima¹ (1.Tokyo Univ. of A & T)

Keywords:

semiconductor,Cryo-CMOS,Reconfigurable transistor

可逆的に極性を制御可能なトランジスタは多機能動作や消費電力の低減に貢献することが理論的に予測されているが、多くの実験的研究の舞台はSiナノワイヤやSOI (Silicon on insulator) 基板上トランジスタに限られていた。近年、我々はUndoped半導体を用いた標準的なバルクSi MOS構造素子において，キャリア極性の光学的制御を実証した。今回はUndoped Si基板を用いたMOSFETのP型動作について報告する。