講演情報
[16p-S2_203-14]Undoped Si基板MOSFETにおける光学的キャリア極性の制御（Ⅱ）
〇(B)向山 丈瑛1、三浦 晨1、尾和 哲大1、生嶋 健司1 (1.農工大院工)
キーワード：
半導体、クライオCMOS、Reconfigurable transistor
可逆的に極性を制御可能なトランジスタは多機能動作や消費電力の低減に貢献することが理論的に予測されているが、多くの実験的研究の舞台はSiナノワイヤやSOI (Silicon on insulator) 基板上トランジスタに限られていた。近年、我々はUndoped半導体を用いた標準的なバルクSi MOS構造素子において，キャリア極性の光学的制御を実証した。今回はUndoped Si基板を用いたMOSFETのP型動作について報告する。