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[16p-S2_203-2][The 47th Paper Award Speech] SiO2/Si interface defect characterization in advanced MOS fabrication
〇Shota Nunomura1, Hiroyuki Ota1, Toshifumi Irisawa1, Kazuhiko Endo1, Yukinori Morita1 (1.AIST)
Keywords:
SiO2/Si,interface defects,HKMG
先端MOS（metal-oxide-semiconductor）デバイスにおいて、シリコン酸化膜/シリコン（SiO2/Si）界面の欠陥はデバイス特性や信頼性の低下を招く。そのため、デバイス作製工程おいて、界面欠陥の発生と修復の過程を理解し、これらの欠陥を抑止するプロセス開発を進めることが重要である。通常、欠陥は、デバイス作製後に、C-V法やチャージポンピング法を用いて評価されるが、評価がデバイス作製後に限定され、各工程における欠陥の発生と修復の詳細は理解されていない。そこで、測定に電極を必要としないQSSPC（Quasi-Steady-State Photoconductance）法を用いて、先端MOSのHKMG（high-k metal-gate）スタック作製工程において、SiO2/Si界面の欠陥を評価したので紹介する。