[16p-S2_203-1~15] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

4:00 PM - 4:15 PM JST(7:00 AM - 7:15 AM UTC)

[16p-S2_203-6] Heat Dissipation Effects via Contacts and Heatsinks in Cryogenic SOI MOSFET

〇Kosuke Hatta¹, Takayuki Mori¹, Shota Kondo¹, Hiroshi Oka², Takahiro Mori², Jiro Ida¹ (1.Kanazawa Inst. of Tech., 2.AIST)

Keywords:

cryogenic temperatures,self heating,Cryo CMOS

近年の量子コンピューターの開発では, 極低温で量子ビットを制御する方式が主流で あるが, 熱問題が集積化のボトルネックとなっている. そこで, 制御回路を極低温制御部に配置 する Cryo-CMOS 技術による解決が検討されており, 制御用素子として SOI MOSFET が有用と考 えられる. 本稿では, 極低温下における SOI MOSFET 発熱時のソースとドレインのコンタクト数, およびアクティブ層に繋げたヒートシンク（HS）の有無による放熱効果の比較結果を報告する.