[16p-S2_203-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

16:00 〜 16:15

[16p-S2_203-6] 極低温における SOI MOSFET のコンタクトとヒートシンクによる放熱効果

〇八田 浩輔¹、森 貴之¹、近藤 祥大¹、岡 博史²、森 貴洋²、井田 次郎¹ (1.金沢工大、2.産総研)

キーワード：

極低温、セルフヒーティング、クライオCMOS

近年の量子コンピューターの開発では, 極低温で量子ビットを制御する方式が主流で あるが, 熱問題が集積化のボトルネックとなっている. そこで, 制御回路を極低温制御部に配置 する Cryo-CMOS 技術による解決が検討されており, 制御用素子として SOI MOSFET が有用と考 えられる. 本稿では, 極低温下における SOI MOSFET 発熱時のソースとドレインのコンタクト数, およびアクティブ層に繋げたヒートシンク（HS）の有無による放熱効果の比較結果を報告する.