Presentation Information
[16p-W2_401-4]AlN Mole Fraction Dependence and Selective Etching Behavior of AlGaN Using Pressurized and Heated Water
〇Eri Matsubara1, Yuma Miyamoto1, Sho Iwayama1, Hideto Miyake2, Tetsuya Takeuchi1, Satoshi Kamiyama1, Motoaki Iwaya1 (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ.)
Keywords:
AlGaN
縦型UV-B半導体レーザの実現に向け、加圧加熱水を用いたAlGaNのエッチング挙動を調査した。115℃、170kPaの条件下で評価した結果、エッチングレートはAlNモル分率の低下に伴い減少し、0.45以下では反応が進行しないことが判明した。この特性により、AlNモル分率に基づく選択的エッチングが可能となり、基板剥離や界面制御への応用が期待される。