講演情報
[16p-W2_401-4]加圧加熱水を用いた AlGaN のエッチング挙動における AlN モル分率依存性と選択性評価
〇松原 衣里1、宮本 侑茉1、岩山 章1、三宅 秀人2、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城大・理工、2.三重大・院・工)
キーワード：
AlGaN
縦型UV-B半導体レーザの実現に向け、加圧加熱水を用いたAlGaNのエッチング挙動を調査した。115℃、170kPaの条件下で評価した結果、エッチングレートはAlNモル分率の低下に伴い減少し、0.45以下では反応が進行しないことが判明した。この特性により、AlNモル分率に基づく選択的エッチングが可能となり、基板剥離や界面制御への応用が期待される。