[16p-W2_401-1~17] 15.4 III-V-group nitride crystals

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-W2_401-5] Wet Chemical Etching of Surface-Altered Layers Induced by Hot Pressurized Water Exfoliated Method in Vertical UV-B AlGaN LD Fabrication

〇(M1)Yuma Miyamoto¹, Takumu Saito¹, Yusuke Sasaki¹, Syundai Maruyama¹, Rintaro Miyake¹, Shogo Karino¹, Ryota Watanabe¹, Shion Kamiya¹, Seiya Kato¹, Naoki Kitta¹, Eri Matsubara¹, Sho Iwayama¹, Hideto Miyake², Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ.)

Keywords:

laser diode,AlGaN

本研究グループでは加熱・加圧水処理によりサファイア基板を剥離することで、縦型UV B LDの室温パルス発振を実現している。サファイア基板剥離時に剥離面にAlOOHからなる変質層が形成され、縦型LDの作製にはこの変質層の除去が必須である。本研究では変質層を選択的に除去する手段として、薬品を用いた化学的除去を試みた。本報告ではその有効性を検討した結果について報告する。