講演情報
[16p-W2_401-5]加熱加圧水剥離後に形成される変質層のウェットエッチングによる除去 と縦型UV-B AlGaN系LDへの応用
〇(M1)宮本 侑茉1、齋藤 巧夢1、佐々木 祐輔1、丸山 竣大1、三宅 倫太郎1、狩野 祥吾1、渡辺 崚太1、神谷 始音1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、松原 衣里1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工)
キーワード：
半導体レーザー、AlGaN
本研究グループでは加熱・加圧水処理によりサファイア基板を剥離することで、縦型UV B LDの室温パルス発振を実現している。サファイア基板剥離時に剥離面にAlOOHからなる変質層が形成され、縦型LDの作製にはこの変質層の除去が必須である。本研究では変質層を選択的に除去する手段として、薬品を用いた化学的除去を試みた。本報告ではその有効性を検討した結果について報告する。