[16p-W2_401-1~17] 15.4 III-V-group nitride crystals

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-W2_401-7] Ohmic Contact Formation on Both N-Polar and Metal-Polar n-Al_0.62Ga_0.38N

〇(M1)Ryota Watanabe¹, Takumu Saito¹, Rintaro Miyake¹, Shundai Maruyama¹, Shogo Karino¹, Yusuke Sasaki¹, Seiya Kato¹, Naoki Kitta¹, Yuma Miyamoto¹, Sion Kamiya¹, Sho Iwayama¹, Hideto Miyake², Yasuo Koide¹, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ.)

Keywords:

UV-B LD,annealing,Metal-polar,N-polar

AlGaN系レーザーデバイスにおいて、低接触抵抗を有する安定なオーミック電極形成プロセスの確立が、低駆動電圧化、高効率化および高信頼動作の観点から極めて重要である。本報告では、n-Al_0.62Ga_0.38Nに対して、メタル極性およびN極性の両極性においてV/Al/Ti/Au電極を用いたオーミック電極形成が可能であることを示す。また、その支配因子が電極中のAl膜厚であることを示唆する結果について報告する。