講演情報
[16p-W2_401-7]n-Al0.62Ga0.38NにおけるN極性･メタル極性両面でのオーミック電極形成とAl膜厚依存性
〇(M1)渡辺 崚太1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、丸山 竣大1、狩野 祥吾1、佐々木 祐輔1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、宮本 侑茉1、神谷 始音1、岩山 章1、三宅 秀人2、小出 康夫1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工)
キーワード：
紫外レーザー、アニール、メタル極性、N極性
AlGaN系レーザーデバイスにおいて、低接触抵抗を有する安定なオーミック電極形成プロセスの確立が、低駆動電圧化、高効率化および高信頼動作の観点から極めて重要である。本報告では、n-Al0.62Ga0.38Nに対して、メタル極性およびN極性の両極性においてV/Al/Ti/Au電極を用いたオーミック電極形成が可能であることを示す。また、その支配因子が電極中のAl膜厚であることを示唆する結果について報告する。