[16p-W8E_101-1~15] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

4:30 PM - 4:45 PM JST(7:30 AM - 7:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-W8E_101-10] EDMR spectroscopy on interface defects in dry- and wet oxidized 4H-SiC(0001) MOSFETs

〇(M2)Bunta Shimabukuro¹, Keigo Adachi¹, Mitsuru Sometani², Hirohisa Hirai², Heiji Watanabe³ (1.Tsukuba Univ., 2.AIST, 3.UOsaka)

Keywords:

4H-SiC,MOSFET,Electrically Detected Magnetic resonance

ドライ酸化及びウェット酸化で作成したSi面 pチャネル4H-SiC MOSFETを電流検出ESR(EDMR)分光法を用いて比較した。pチャネルではドライ酸化よりウェット酸化の方が優れた性能を見せる。しかし両者のEDMR信号強度は同じオーダー（ウェット酸化の方が25%小さい）だった。さらに、超微細分裂を見るとドライ酸化とウェット酸化では明らかに異なる欠陥であることが分かった。