[16p-W8E_101-1~15] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[16p-W8E_101-10] ドライ酸化とウェット酸化4H-SiC(0001) MOSFETの界面欠陥の電流検出ESR分光による比較

〇(M2)島袋 聞多¹、安達 慧悟¹、染谷 満²、平井 悠久²、渡部 平司³ (1.筑波大学　数理物質、2.産総研、3.阪大院工)

キーワード：

4H-SiC、MOSFEET、電流検出ESR

ドライ酸化及びウェット酸化で作成したSi面 pチャネル4H-SiC MOSFETを電流検出ESR(EDMR)分光法を用いて比較した。pチャネルではドライ酸化よりウェット酸化の方が優れた性能を見せる。しかし両者のEDMR信号強度は同じオーダー（ウェット酸化の方が25%小さい）だった。さらに、超微細分裂を見るとドライ酸化とウェット酸化では明らかに異なる欠陥であることが分かった。