[16p-W8E_101-1~15] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

4:45 PM - 5:00 PM JST(7:45 AM - 8:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-W8E_101-11] Polarity control of photoinduced charges trapped at the SiC MOS interface

〇(D)Tetsuhiro Owa¹, Jin Miura¹, Fumiyuki Inamura¹, Takashi Ikuta¹, Kenzo Maehashi¹, Kenji Ikushima¹ (1.Tokyo Univ. of A & T)

Keywords:

SiC,MOS,photoinduced doping

半導体のキャリア極性を可逆的に制御する手法として、光照射によるキャリアドーピングがSi MOS構造で報告されているが、室温では熱励起によるキャリア生成のためSi基板の冷却により実現される。本研究ではワイドバンドギャップ半導体SiCに着目し、室温で光誘起電荷の極性制御を実証した。光誘起電荷は深い界面準位にトラップされ、対応するエネルギーの赤外光照射により放出され、キャリアとして界面に蓄積する可能性が示唆された。