[16p-W8E_101-1~15] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[16p-W8E_101-11] SiC MOS界面にトラップされた光誘起電荷とその極性制御

〇(D)尾和 哲大¹、三浦 晨¹、稲村 文行¹、生田 昂¹、前橋 兼三¹、生嶋 健司¹ (1.農工大院工)

キーワード：

SiC、MOS、光ドーピング

半導体のキャリア極性を可逆的に制御する手法として、光照射によるキャリアドーピングがSi MOS構造で報告されているが、室温では熱励起によるキャリア生成のためSi基板の冷却により実現される。本研究ではワイドバンドギャップ半導体SiCに着目し、室温で光誘起電荷の極性制御を実証した。光誘起電荷は深い界面準位にトラップされ、対応するエネルギーの赤外光照射により放出され、キャリアとして界面に蓄積する可能性が示唆された。