[16p-W8E_101-1~15] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

5:00 PM - 5:15 PM JST(8:00 AM - 8:15 AM UTC)

[16p-W8E_101-12] Long-Term High Temperature Characteristics of Schottky Barrier Diodes with Silicon-Capped-Annealed Electrodes

〇Takahito Fukuzawa¹, Hiroaki Hanafusa¹, Seiichiro Higashi¹ (1.Hiroshima Univ.)

Keywords:

semiconductor,silicon carbaide,High-temperature property

裏面にSiCAを施した電極を有するショットキーバリアダイオード(SBD)を作製し、熱的安定性を調査した。
600℃で加熱した後、室温で電気特性の評価を行った。裏面Niシリサイドのサンプルにおいては加熱後に直列抵抗が増大した。一方で、裏面SiCA後Moのサンプルにおいては長期安定性が得られる結果となった。