[16p-W8E_101-1~15] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-W8E_101-5] Understanding the Reaction Mechanism of Thermal N-Desorption Reactions during N-radical Nitridation of 4H-SiC Surface

〇Haruki Yoshida¹, Atsushi Tamura¹, Koji Kita¹ (1.GSFS, The Univ. of Tokyo)

Keywords:

SiC,Nitridation

SiCMOSFETではSiO₂/SiC界面に形成されるC由来の界面準位が反転層のキャリアを捕獲し性能を低下させる。界面特性向上にNラジカルのような活性種を用いた窒化手法が試みられる。我々は昨年の秋期応物学会にて、熱的窒化手法と異なり酸化が大幅に抑制されたNラジカル窒化においても、窒化SiC表面を酸化膜で覆わずに真空中で加熱することで、Nが熱的に脱離してN導入効率が低下することを報告した。この脱離反応の正しい理解は高効率窒化プロセス設計のために重要な知見である。そこで本研究ではN脱離反応速度の定量や脱離ガス種の同定を行った。