[16p-W8E_101-1~15] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[16p-W8E_101-5] 4H-SiC表面に対するNラジカル窒化過程における熱的N脱離現象の反応機構の理解

〇吉田 遥希¹、田村 敦史¹、喜多 浩之¹ (1.東大院新領域)

キーワード：

SiC、窒化

SiCMOSFETではSiO₂/SiC界面に形成されるC由来の界面準位が反転層のキャリアを捕獲し性能を低下させる。界面特性向上にNラジカルのような活性種を用いた窒化手法が試みられる。我々は昨年の秋期応物学会にて、熱的窒化手法と異なり酸化が大幅に抑制されたNラジカル窒化においても、窒化SiC表面を酸化膜で覆わずに真空中で加熱することで、Nが熱的に脱離してN導入効率が低下することを報告した。この脱離反応の正しい理解は高効率窒化プロセス設計のために重要な知見である。そこで本研究ではN脱離反応速度の定量や脱離ガス種の同定を行った。