Presentation Information
[16p-W8E_101-8]Characterization of SiC MOSFETs with an ultra-shallow counter-doped region
〇Kyota Mikami1, Ryuta Kajiwara1, Mitsuaki Kaneko1, Tsunenobu Kimoto1 (1.Kyoto Univ.)
Keywords:
SiC MOSFET,channel mobility,counter doping
SiC MOSFETの移動度向上の観点でカウンタードープは有望である。本研究では、カウンタードープ領域を2.5~10 keVという低いエネルギーで形成し(極浅プロファイル)、カウンタードープのプロファイルがデバイス特性に及ぼす影響を調べた。その結果、同一しきい値電圧において、極浅プロファイルの素子はボックスプロファイルの素子よりも10~15%程度高い電界効果移動度を示した。