[16p-W8E_101-1~15] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

16:00 〜 16:15

[16p-W8E_101-8] 極浅カウンタードープ領域を有するSiC MOSFETの作製と評価

〇三上 杏太¹、梶原 隆太¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：

SiC MOSFET、チャネル移動度、カウンタードープ

SiC MOSFETの移動度向上の観点でカウンタードープは有望である。本研究では、カウンタードープ領域を2.5~10 keVという低いエネルギーで形成し(極浅プロファイル)、カウンタードープのプロファイルがデバイス特性に及ぼす影響を調べた。その結果、同一しきい値電圧において、極浅プロファイルの素子はボックスプロファイルの素子よりも10~15%程度高い電界効果移動度を示した。