[16p-W9_323-1~16] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

4:30 PM - 4:45 PM JST(7:30 AM - 7:45 AM UTC)

[16p-W9_323-13] Synthesis and structural and electrical properties of In doped type II Ge clathrate films

〇Sora Tajima¹, Koji Yasuoka¹, Tun Naing Aye², Kousuke Shimano⁴, Akito Ayukawa⁴, Syunya Sakane⁴, Haruhiko Udono⁴, Rahul Kumar³, Himansyu Jha^1,2, Fumitaka Ohashi^1,2, Tetsuji Kume^1,2 (1.GNST, Gifu Univ., 2.Faculty of Engineering, Gifu Univ., 3.NIT, Gifu College, 4.Faculty of Engineering, Ibaraki Univ.)

Keywords:

clathrate,Ge,element substitution

Naを内包したII型Geクラスレートの研究を行っている。P型半導体の実現のため、Inを添加した三元系Geクラスレート薄膜の作製し、結晶構造及び電気的特性の解析を進めている。