[16p-W9_323-1~16] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

16:30 〜 16:45

[16p-W9_323-13] In置換Geクラスレート薄膜の作製と構造・電気的特性

〇田島 宙¹、安岡 光司¹、Aye Tun Naing²、島野 航輔⁴、鮎川 瞭仁⁴、坂根 駿也⁴、鵜殿 治彦⁴、Kumar Rahul³、Jha himansyu^1,2、大橋 史隆^1,2、久米 徹二^1,2 (1.岐阜大院自、2.岐阜大工、3.岐阜高専、4.茨城大工)

キーワード：

クラスレート、Ge、元素置換

Naを内包したII型Geクラスレートの研究を行っている。P型半導体の実現のため、Inを添加した三元系Geクラスレート薄膜の作製し、結晶構造及び電気的特性の解析を進めている。