[16p-W9_323-1~16] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)

[16p-W9_323-7] Evaluation of Segregation Behavior and Solubility Limit in Sb-doped Mg₂Si Single Crystals

〇Kosuke Shimano¹, Minoru Okawara¹, Shunya Sakane¹, Haruhiko Udono¹ (1.Ibaraki Univ.)

Keywords:

Mg2Si single crystal,Sb-doping,segregation coefficient

Mg₂Si単結晶にSbを0.01〜1.0 at.%添加して垂直ブリッジマン法で育成し、成長軸方向の抵抗率と電気的特性を評価した。抵抗率の分布から実効偏析係数を求めた結果、ほぼ1であることが分かり、Sbが均一に取り込まれることを示した。これにより、最適なn型ドーピング設計に有用な基礎データを得た。