[16p-W9_323-1~16] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

14:45 〜 15:00

[16p-W9_323-7] SbドープMg₂Si単結晶の偏析挙動と固溶限界の評価

〇島野 航輔¹、大河原 穣¹、坂根 駿也¹、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大)

キーワード：

Mg2Si単結晶、Sbドーピング、偏析係数

Mg₂Si単結晶にSbを0.01〜1.0 at.%添加して垂直ブリッジマン法で育成し、成長軸方向の抵抗率と電気的特性を評価した。抵抗率の分布から実効偏析係数を求めた結果、ほぼ1であることが分かり、Sbが均一に取り込まれることを示した。これにより、最適なn型ドーピング設計に有用な基礎データを得た。