[16p-W9_324-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

4:30 PM - 4:45 PM JST(7:30 AM - 7:45 AM UTC)

[16p-W9_324-11] Homoepitaxial growth of Si doped β-Ga₂O₃(010) layers by THVPE methods

〇Haruki Kitagawa¹, Naoki Yoshida¹, Hisashi Murakami¹, Yoshinao Kumagai² (1.AIS Tokyo Univ. of Agric. And Tech., 2.Dept. of Appl. Chem., Tokyo Univ. of Agric. And Tech.)

Keywords:

Gallium Oxide

β-Ga₂O₃は約4.5 eVの大きなバンドギャップを持ち、次世代パワーデバイス用半導体材料として期待されている。HVPE法を用いたβ-Ga₂O₃成長ではSiCl₄を用いてn型キャリア密度を10¹⁵~10¹⁸ /cm³の精密制御が報告されているが、THVPE法では未確立であった。THVPE法によるβ-Ga₂O₃(010)成長中にSiCl₄を導入し、キャリア密度制御の可否について検討したので報告する。