[16p-W9_324-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:30 〜 16:45

[16p-W9_324-11] THVPE法によるSiドープβ-Ga₂O₃(010)ホモエピタキシャル成長

〇北川 晴輝¹、吉田 直輝¹、村上 尚¹、熊谷 義直² (1.農工大院AIS、2.農工大院工)

キーワード：

酸化ガリウム

β-Ga₂O₃は約4.5 eVの大きなバンドギャップを持ち、次世代パワーデバイス用半導体材料として期待されている。HVPE法を用いたβ-Ga₂O₃成長ではSiCl₄を用いてn型キャリア密度を10¹⁵~10¹⁸ /cm³の精密制御が報告されているが、THVPE法では未確立であった。THVPE法によるβ-Ga₂O₃(010)成長中にSiCl₄を導入し、キャリア密度制御の可否について検討したので報告する。