[16p-WL2_101-1~11] 6.4 Thin films and New materials

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)

[16p-WL2_101-11] Sputter Deposition of Fluorides and Oxyfluorides

〇Yohei Sakano¹, Ryosuke Sugawara¹, Yuma Sugai¹, Yasuhito Tanaka¹, Shinichiro Saisyo¹, Takuya Sugawara¹ (1.SHINCRON)

Keywords:

Fluoride,dielectric,mixed-anion

フッ化物は他のハロゲン化合物と比較して安定であり、結合エネルギーが高く、高いバンドギャップを持つ有用な物質である。フッ化物スパッタ成膜を試みた例は多いが、膜にフッ素欠損が発生する問題があった。本研究では、フッ素欠損を回避するフッ化物成膜方法、合わせて酸素との複合アニオンである酸フッ化物成膜方法、それらの手法で作成した薄膜特性について報告する。