[17a-M_103-1~13] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17a-M_103-7] Development of Low-GWP Etching Gas for TSV as a SF₆ Alternative Using Digital Twin

〇Natsumi Ichikawa¹, Ishikawa Takuji¹, Ishibushi Miki¹, Okamoto Suzuka¹, Nojiri Yasuhiro¹, Hayashi Hisataka¹ (1.Daikin Industries, Ltd)

Keywords:

Bosch Process,Digital Twin,Low-GWP Gas

Boschプロセスに用いられるSF₆の代替ガスとして、Gas-Yをデジタルツインを用いて開発した。30条件の実験結果をもとに構築したデジタルツインを用いて14406条件の仮想実験を行い、幅広い実験空間でGas-Yのエッチング特性をSF₆と比較した。その結果、Siへの水平方向のエッチングを、SF₆に比べGas-Yでは15％抑制出来ることを確認した。実際のＴＳＶ加工形状等についても講演にて発表する。