[17a-M_103-1~13] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17a-M_103-8] Mechanisms of Highly Selective SiOCN Etching Using NF₃-based Plasma

〇Takahiro Goya¹, Akiko Hirata¹, Masanaga Fukasawa¹, Wataru Mizubayashi¹, Yoshihiro Hayashi¹ (1.SFRC AIST)

Keywords:

Plasma,Highly selective etching,Isotropic etching

三次元構造トランジスタの低消費電力化、高性能化に向けてゲートサイドウォールスペーサー材料の低誘電率化が求められる。従来のSiNに替わる材料としてSiOCNが導入されているが、GAAFET等への応用にはSiOCNの超高選択比な等方性加工が重要になる。本研究では、NF₃系プラズマを用いたSiOCN高選択エッチングにおける添加H₂ガス流量依存性に着目し、プラズマおよび材料中に含有するHとOの影響を調べた。