講演情報
[17a-M_103-8]NF3系プラズマによるSiOCN高選択エッチング機構に関する検討
〇郷矢 崇浩1、平田 瑛子1、深沢 正永1、水林 亘1、林 喜宏1 (1.産総研 先端半導体研究センター)
キーワード：
プラズマ、高選択エッチング、等方性エッチング
三次元構造トランジスタの低消費電力化、高性能化に向けてゲートサイドウォールスペーサー材料の低誘電率化が求められる。従来のSiNに替わる材料としてSiOCNが導入されているが、GAAFET等への応用にはSiOCNの超高選択比な等方性加工が重要になる。本研究では、NF3系プラズマを用いたSiOCN高選択エッチングにおける添加H2ガス流量依存性に着目し、プラズマおよび材料中に含有するHとOの影響を調べた。