[17a-M_278-1~13] CS.3 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17a-M_278-4] Direct growth of ferroelectric Y-doped HfO₂ thin films on silicon via RF magnetron sputtering

〇Shinya Kondo^1,2, Tomoshige Ono², Shunsuke Kobayashi³, Paul Schwermer⁴, Kazuki Okamoto⁵, Hiroshi Funakubo⁵, Tatuo Fujii², Teranishi Takashi^2,5, Akira Kishimoto², Uwe Schroeder⁴, Tomoaki Yamada^1,6 (1.Nagoya Univ., 2.Okayma Univ., 3.JFCC, 4.NaMLab, 5.Science Tokyo, 6.Science Tokyo MDX)

Keywords:

ferroelectric HfO2,thin film,RF magnetron sputtering

本研究では，HfO₂基薄膜のシリコンフォトニクスへの応用を目指し，非加熱成膜が可能なRFマグネトロンスパッタリング法を用いてSi基板直上に高配向のYHO薄膜を作製し，薄膜の微細構造や強誘電特性の評価を行ったので，その結果について報告する．