[17a-M_278-1~13] CS.3 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[17a-M_278-4] RFマグネトロンスパッタリング法を用いたSi直上でのY添加HfO₂薄膜の作製と強誘電特性

〇近藤 真矢^1,2、小野 友慈²、小林 俊介³、Paul Schwermer⁴、岡本 一輝⁵、舟窪 浩⁵、藤井 達生²、寺西 貴志^2,5、岸本 昭²、Uwe Schroeder⁴、山田 智明^1,6 (1.名大、2.岡山大、3.JFCC、4.NaMLab、5.科学大、6.科学大MDX)

キーワード：

HfO2基強誘電体、薄膜、RFマグネトロンスパッタリング法

本研究では，HfO₂基薄膜のシリコンフォトニクスへの応用を目指し，非加熱成膜が可能なRFマグネトロンスパッタリング法を用いてSi基板直上に高配向のYHO薄膜を作製し，薄膜の微細構造や強誘電特性の評価を行ったので，その結果について報告する．