Presentation Information
[17a-M_278-5]Effects of Seed Layers on Crystallization of (Hf,Zr)O2 Thin Films by Flash Lamp Annealing
〇Yukiya Sano1, Tomoya Mifune1, Hideaki Tanimura1,2, Yuma Ueno2, Yusuke Tani2, Hironori Fujisawa1, Seiji Nakashima1, Ai I. Osaka1, Shinichi Kato2, Takumi Mikawa2 (1.Univ. of Hyogo, 2.SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd.)
Keywords:
HZO,Flash Lamp annealing,seed layer
(Hf, Zr)O2 (HZO)は膜厚10 nmにおいても強誘電性を示し，CMOSプロセス互換性を有することから，次世代FeRAM材料として期待されている．しかし，膜厚が10 nm以下になると分極量が低下する課題がある．我々は，シード層の挿入により強誘電性を示す直方晶（o-phase）HZOの結晶化が促進されることに着目し，フラッシュランプアニール(FLA)によるHZO薄膜の結晶化において，HZO薄膜の結晶性と電気特性にシード層が及ぼす効果を調査した．