講演情報
[17a-M_278-5](Hf,Zr)O2薄膜のフラッシュランプアニールによる結晶化にシード層が及ぼす効果
〇佐野 行哉1、三船 智哉1、谷村 英昭1,2、植野 雄守2、谷 勇佑2、藤沢 浩訓1、中嶋 誠二1、大坂 藍1、加藤 慎一2、三河 巧2 (1.兵庫県大院工、2.SCREEN セミコンダクターソリューションズ)
キーワード：
HZO、フラッシュランプアニール、シード層
(Hf, Zr)O2 (HZO)は膜厚10 nmにおいても強誘電性を示し，CMOSプロセス互換性を有することから，次世代FeRAM材料として期待されている．しかし，膜厚が10 nm以下になると分極量が低下する課題がある．我々は，シード層の挿入により強誘電性を示す直方晶（o-phase）HZOの結晶化が促進されることに着目し，フラッシュランプアニール(FLA)によるHZO薄膜の結晶化において，HZO薄膜の結晶性と電気特性にシード層が及ぼす効果を調査した．