[17a-S2_203-1~12] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)

[17a-S2_203-4] 3D In-line methodology in GAAFET fabrication process

〇Shin Kono¹, Chia-Tsong Chen¹, Kazuya Uejima¹, Gansei Shichiri¹, Atsushi Yagishita¹, Toshifumi Irisawa¹, Takashi Matsukawa¹, Yoshihiro Hayashi¹ (1.SFRC, AIST)

Keywords:

GAAFET,OCD

産総研は、GAAFET構造のトランジスタを試作可能な300mm共用パイロットライン(SCR)を有する。SCR内のGAASETの簡易トランジスタTEGの製造だけでも、約200の工程が存在するため、短TATな立体構造の定量化技術はR&D加速に必須である。その一つに、「垂直入射型OCD測定」がある。これは、デバイス構造に対して平行/垂直方向の偏光を照射し、反射率のスペクトルを解析する事で、非破壊で1次元／2次元の立体構造を定量化可能とする技術である。