[17a-S2_203-1~12] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

9:45 〜 10:00

[17a-S2_203-4] GAAFET製造工程における立体構造のインラインモニタ技術

〇河野 伸¹、Chen Chia-Tsong¹、上嶋 和也¹、七里 元晴¹、八木下 淳史¹、入沢 寿史¹、松川 貴¹、林 喜宏¹ (1.産総研　SFRC)

キーワード：

GAAFET、OCD

産総研は、GAAFET構造のトランジスタを試作可能な300mm共用パイロットライン(SCR)を有する。SCR内のGAASETの簡易トランジスタTEGの製造だけでも、約200の工程が存在するため、短TATな立体構造の定量化技術はR&D加速に必須である。その一つに、「垂直入射型OCD測定」がある。これは、デバイス構造に対して平行/垂直方向の偏光を照射し、反射率のスペクトルを解析する事で、非破壊で1次元／2次元の立体構造を定量化可能とする技術である。