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9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17a-W8E_101-1]Fabrication of InP/InGaAs lateral HBTs via selective growth in dielectric microcavities

〇Shota Watanabe¹, Yasuyuki Miyamoto¹ (1.Science Tokyo)

Keywords:

HBT,selective growth,MOVPE

高周波動作に適したエミッタ，コレクタ幅が同一の横型HBTを実現するため，微細誘電体空洞内に横方向のHBT構造を選択成長し，空洞除去後に電極を形成した．作製したラテラルHBTの直流特性を評価した結果，電流利得は得られなかったが，ベース電流によるコレクタ電流制御を確認した．併せてラテラルHBTの電流利得改善法を提案する．

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