[17a-W8E_101-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[17a-W8E_101-1] 微細誘電体空洞内の選択成長によるInP/InGaAsラテラルHBTの製作

〇渡辺 翔太¹、宮本 恭幸¹ (1.科学大)

キーワード：

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、選択成長、MOVPE

高周波動作に適したエミッタ，コレクタ幅が同一の横型HBTを実現するため，微細誘電体空洞内に横方向のHBT構造を選択成長し，空洞除去後に電極を形成した．作製したラテラルHBTの直流特性を評価した結果，電流利得は得られなかったが，ベース電流によるコレクタ電流制御を確認した．併せてラテラルHBTの電流利得改善法を提案する．