[17a-W8E_101-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)

[17a-W8E_101-7] Challenges and solutions for GaN epitaxial growth on ion-cut substrates

〇Kokichi Fujita¹, Tatsuro Sawada¹, Ryusui Wada¹, Tsuyoshi Yamasaki¹, Naoyoshi Komatsu¹, Kazuki Isoyama¹, Etsuro Shimizu¹ (1.KYOCERA Corporation)

Keywords:

Thin Film Transfer,Crystal Growth,Crystal Defects

低転位密度かつ低コストなGaN HEMT作製を目指し、イオンカットにより自立GaN基板をAlN基板へ転写し、その上にGaNエピタキシャル成長を行った。成長時に発生するブリスタ・クレータおよび転位導入に対し、基板作製工程を最適化することで両課題を抑制し、自立GaN基板と同等品質の成長層を実現した。