[17a-W8E_101-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:45 〜 11:00

[17a-W8E_101-7] イオンカット基板上におけるGaNエピタキシャル成長の課題とその解決策

〇藤田 高吉¹、澤田 達郎¹、和田 竜垂¹、山﨑 剛¹、小松 直佳¹、磯山 和基¹、清水 悦朗¹ (1.京セラ株式会社)

キーワード：

薄膜転写、結晶成長、結晶欠陥

低転位密度かつ低コストなGaN HEMT作製を目指し、イオンカットにより自立GaN基板をAlN基板へ転写し、その上にGaNエピタキシャル成長を行った。成長時に発生するブリスタ・クレータおよび転位導入に対し、基板作製工程を最適化することで両課題を抑制し、自立GaN基板と同等品質の成長層を実現した。