[17a-W8E_101-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)

[17a-W8E_101-8] Demonstration of GaN-HEMT devices using ion-cut GaN substrates

〇Tatsuro Sawada¹, Ryusui Wada¹, Koukichi Fujita¹, Tsuyoshi Yamasaki¹, Naoyoshi Komatsu¹, Kazuki Isoyama¹, Etsuro Shimizu¹ (1.KYOCERA Corporation)

Keywords:

gallium nitride,High Electron Mobility Transistor,ion-cut

窒化物半導体を用いたGaN-HEMTは、パワー・高周波デバイスとして実用化されているが、従来のHEMTでは下地基板にSiやサファイア基板を使用しているため、GaNとの格子不整合により、エピタキシャル層に高い転位密度が生じる。本報告では、イオンカット法によりGaN自立基板を支持基板へ転写することで低転位基板を形成し、その上にHEMTを作製し動作実証を行ったので報告する。