[17a-W8E_101-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:00 〜 11:15

[17a-W8E_101-8] イオンカットGaN基板を用いたGaN HEMTデバイスの実証

〇澤田 達郎¹、和田 竜垂¹、藤田 高吉¹、山﨑 剛¹、小松 直佳¹、礒山 和基¹、清水 悦朗¹ (1.京セラ株式会社)

キーワード：

窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ、イオンカット

窒化物半導体を用いたGaN-HEMTは、パワー・高周波デバイスとして実用化されているが、従来のHEMTでは下地基板にSiやサファイア基板を使用しているため、GaNとの格子不整合により、エピタキシャル層に高い転位密度が生じる。本報告では、イオンカット法によりGaN自立基板を支持基板へ転写することで低転位基板を形成し、その上にHEMTを作製し動作実証を行ったので報告する。