[17a-W8E_101-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17a-W8E_101-9] Differences in temperature dependence of threshold voltage shift under positive bias stress due to PDA conditions in AlSiO-Gated GaN MOSFETs

〇Yuki Ichikawa¹, Takumi Hirata¹, Masakazu Kanechika², Tetsu Kachi², Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:

Gallium Nitride,MOSFET,Threshold voltage shift

AlSiOゲート絶縁膜を有するGaN MOSFETにおいて、正バイアスストレス下でのしきい値電圧シフトの温度依存性を評価し、PDA温度条件の影響を調べた。室温での変動量はPDA条件によらずほぼ一定であった。一方、PDA温度600℃では温度上昇に伴い変動量が増大したのに対し、800℃では高温においても変動は小さく、PDA高温化により変動の温度依存性が抑制されることが明らかとなった。