[17a-W8E_101-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[17a-W8E_101-9] AlSiOゲート酸化膜GaN MOSFETの正バイアスストレスによるしきい値電圧変動の温度依存性のPDA条件による違い

〇市川 雄基¹、平田 拓巳¹、兼近 将一²、加地 徹²、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：

窒化ガリウム、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、しきい値電圧変動

AlSiOゲート絶縁膜を有するGaN MOSFETにおいて、正バイアスストレス下でのしきい値電圧シフトの温度依存性を評価し、PDA温度条件の影響を調べた。室温での変動量はPDA条件によらずほぼ一定であった。一方、PDA温度600℃では温度上昇に伴い変動量が増大したのに対し、800℃では高温においても変動は小さく、PDA高温化により変動の温度依存性が抑制されることが明らかとなった。