[17a-W8E_307-1~10] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)

[17a-W8E_307-6] Electric properties of GaSb nanowires grown by MBE

〇(D)Soh Komatsu¹, Masashi Akabori¹ (1.CNMT, JAIST)

Keywords:

GaSb,Nanowire,Electric property

GaSbはIII-V族半導体の中で最も高い正孔移動度を有する材料であるが、Sbのアンチサーファクタント効果により1次元成長が阻害されてしまうため、GaSbナノワイヤの成長はわずかな報告例しかない。本研究では、HSQマスクを用いてGaAs(001)基板に成長したGaSbナノワイヤの電気的特性を評価したのでそれを報告する。