[17a-W8E_307-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

10:45 〜 11:00

[17a-W8E_307-6] MBE成長したGaSbナノワイヤの電気的特性

〇(D)小松 颯¹、赤堀 誠志¹ (1.北陸先端大 ナノセ)

キーワード：

GaSb、ナノワイヤ、電気的特性

GaSbはIII-V族半導体の中で最も高い正孔移動度を有する材料であるが、Sbのアンチサーファクタント効果により1次元成長が阻害されてしまうため、GaSbナノワイヤの成長はわずかな報告例しかない。本研究では、HSQマスクを用いてGaAs(001)基板に成長したGaSbナノワイヤの電気的特性を評価したのでそれを報告する。