[17a-W9_324-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)

[17a-W9_324-5] Impact of post processes for flexibility on NiO based visible light transparent thin film transistors

〇Yoshiki Matsubayashi¹, Taisei Hattori¹, Yuna Koide¹, Mutsumi Sugiyama^1,2 (1.Tokyo Univ. Sci., 2.RIST)

Keywords:

Nickel Oxide,conductance method,interface defects

本研究ではNiO系フレキシブルTTFTの実現に向け、UV処理及び水素イオン注入等の低温ポストプロセスがNiO系TTFTの電気特性等に与える影響を検討した。