[17a-W9_324-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:15 〜 10:30

[17a-W9_324-5] フレキシブル化に向けたポストプロセスがNiO系可視光透過型薄膜トランジスタに与える影響

〇松林 芳樹¹、服部 汰星¹、小出 祐菜¹、杉山 睦^1,2 (1.東理大　創域理工、2.東理大　総研)

キーワード：

NiO、コンダクタンス法、界面欠陥

本研究ではNiO系フレキシブルTTFTの実現に向け、UV処理及び水素イオン注入等の低温ポストプロセスがNiO系TTFTの電気特性等に与える影響を検討した。