[17a-W9_324-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)

[17a-W9_324-6] Enhancement Mechanisms of Carrier density and Mobility of Ga:ZnO (GZO) Films Deposited with Zn Supply

〇Yasuji Yamada¹, Yumika Yamada^2,1, Shuhei Funaki¹ (1.Shimane Univ., 2.Kobelko Res. Inst.)

Keywords:

Transparent conducting film,crystalline defect,grain boundary scattering

Ga添加ZnO (GZO) のスパッタリング成膜において，用いるターゲットのGa量，およびZn量を変化させ形成されたGZO膜の電気特性を詳細に調べた。Ga量の増加に対してキャリア密度が飽和すること，および，Zn量を増やすとその飽和値が上昇することから，Gaとアクセプター性欠陥が結合した複合欠陥が生成していると推定される。またZn量を増やすことで粒界散乱の寄与が大きく低下したと評価できる。