[17a-W9_324-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:45 〜 11:00

[17a-W9_324-6] Zn供給成膜によるGa:ZnO (GZO) 膜のキャリア密度と移動度の向上機構

〇山田 容士¹、山田 祐美加^2,1、舩木 修平¹ (1.島根大 総理工、2.コベルコ科研)

キーワード：

透明導電膜、結晶欠陥、粒界散乱

Ga添加ZnO (GZO) のスパッタリング成膜において，用いるターゲットのGa量，およびZn量を変化させ形成されたGZO膜の電気特性を詳細に調べた。Ga量の増加に対してキャリア密度が飽和すること，および，Zn量を増やすとその飽和値が上昇することから，Gaとアクセプター性欠陥が結合した複合欠陥が生成していると推定される。またZn量を増やすことで粒界散乱の寄与が大きく低下したと評価できる。